SiC炭化ケイ素は、炭素元素とケイ素元素から構成される化合物半導体材料です。 高温、高周波、高出力、高電圧のデバイスを製造するのに理想的な材料の 1 つです。
炭化ケイ素原料の核となる利点は、次の点に反映されています。
(1) 高耐圧: インピーダンスが低く、バンドギャップが広いため、より大きな電流と電圧に耐えることができ、製品設計の小型化と効率の向上につながります。
(2) 高周波耐性: SiC デバイスではターンオフプロセス中に電流テーリング現象が発生しないため、コンポーネントのスイッチング速度 (Si の約 3-10 倍) を効果的に高めることができ、用途に適しています。より高い周波数とより速いスイッチング速度。 ;
(3) 高温耐性：SiC はシリコンよりも熱伝導率が高く、高温でも動作します。
従来のシリコン材料 (Si) と比較して、炭化ケイ素 (SiC) のバンドギャップはシリコンの 3 倍です。 熱伝導率はシリコンの4-5倍です。 降伏電圧はシリコンの8-10倍です。 電子飽和ドリフト率はシリコンの2-3倍です。
