炭化ケイ素 (SiC) は導電性ですが、その導電性はドーピングや SiC の特定の形状によって異なります。 SiC は半導体です。つまり、結晶構造に不純物を導入 (ドーピング) することで導電率を制御できます。
SiC 結晶には、n 型や p 型などのさまざまな種類があります。
N型SiC: リンや窒素などの元素をドーピングすると、余分な電子が導入され、導電性が向上します。
P型SiC: アルミニウムやホウ素などの元素をドーピングすると、導電性にも寄与する「正孔」(正電荷キャリア) が生成されます。
